На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:
строительное дело
полирование с использованием кислоты (для травления поверхности)
['etʃə]
существительное
общая лексика
гравёр
травильщик
офортист
гравер
['etʃiŋ]
общая лексика
травление
гравирование
гравюра
протравка
травильный
нефтегазовая промышленность
получение следа уровня кислоты на стеклянной пробирке инклинометра
Смотрите также
существительное
общая лексика
гравирование (травлением)
травление
гравюра
офорт
награвированное
протравленное изображение
гравировка
гравюра, офорт
травление, вытравливание
Смотрите также
Isotropic etching is a method commonly used in semiconductors to remove material from a substrate via a chemical process using an etchant substance. The etchant may be in liquid-, gas- or plasma-phase, although liquid etchants such as buffered hydrofluoric acid (BHF) for silicon dioxide etching are more often used. Unlike anisotropic etching, isotropic etching does not etch in a single direction, but rather etches in multiple directions within the substrate. Any horizontal component of the etch direction may therefore result in undercutting of patterned areas, and significant changes to device characteristics. Isotropic etching may occur unavoidably, or it may be desirable for process reasons.